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　　LTE設(shè)備市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)對(duì)射頻前端的性能提出了前所未有的要求：擁有可以支持更多頻段的可擴(kuò)展性;擁有可調(diào)諧的能力并且保證搞個(gè)理性，可以解決多通路同時(shí)使用時(shí)帶來的問題;對(duì)所有支持的漠視和頻段的切換，只需相對(duì)簡(jiǎn)單的調(diào)整;有證競(jìng)爭(zhēng)力的功放效能。而UltraCMOSGlobal1的應(yīng)運(yùn)而生為“一款可以全球范圍內(nèi)使用的移動(dòng)終端”的愿望提供了可行的思路。

　　作為行業(yè)中第一個(gè)全集成可配置射頻前端系統(tǒng)，UltraCMOSGlobal1集成了三通道MMMBPA(多模多頻段功放)模塊，PA切換開關(guān)模塊，天線切換開關(guān)模塊和天線調(diào)諧模塊等射頻前端需要的所有元件。支持包絡(luò)跟蹤技術(shù)，并具有通用的RFFEMIPI控制接口。

　　UltraCMOSGlobal1是一種易于使用的數(shù)字控制射頻前端，適用于一切模式和頻段，隔離性能好，解決了互操作問題。它可以擴(kuò)展，輕而易舉地支持更多的頻段，而且開關(guān)損耗小，可調(diào)諧。其高水平的可重構(gòu)能力得益于Peregrine半導(dǎo)體公司的UltraCMOS10技術(shù)平臺(tái)。UltraCMOS10是一種130納米的RF-SOI工藝技術(shù)，比起同類的解決方案，在性能方面提高了50%。UltraCMOSGlobal1就是在這個(gè)技術(shù)平臺(tái)上制造而成的。

　　Global1強(qiáng)化了可配置功率的概念。Global1對(duì)頻段和模式可配置的操作方法，改善了射頻性能。可配置的射頻和偏置設(shè)計(jì)，縮小了由于支持模式和頻帶不同給手機(jī)方案設(shè)計(jì)帶來的差異。另外，通過自動(dòng)調(diào)諧的優(yōu)化方法也加速了項(xiàng)目設(shè)計(jì)規(guī)劃。

　　值得一提的是UltraCMOSGlobal1集成了業(yè)界第一個(gè)LTECMOS功率放大器(PA)，其純PA性能達(dá)到了和GaAs工藝技術(shù)相同的水平，其性能高出同類產(chǎn)品10%。此外，對(duì)于LTE波形，在不同資源塊分配的情況下，UltraCMOSGlobal1功放的PAE性能與GaAs功放相當(dāng)。

　　據(jù)悉，UltraCMOSGlobal1的平臺(tái)整合將在2014年完成，將于2015年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。