中國上海，2016 年 2 月 18 日訊-今日，恩智浦半導體(納斯達克代碼：NXPI，以下簡稱“恩智浦”)與中芯國際宣布共同開展長期技術研發與本地化合作，支持“中國制造 2025”，推動中 國半導體產業創新升級。雙方將通過聯合創新，共同開發全球領先的高性能超低功耗帶嵌入式閃 存技術的混合信號產品制造工藝。
雙方將在工信部的指導和支持下，積極整合國際研發技術和優勢資源，建立戰略性合作項目服務 于中國市場，進一步推動本地集成電路技術發展和中國制造業創新升級。中芯國際提供國內最先 進的 40 納米標準 CMOS 數?；旌想娐饭に嚻脚_，恩智浦將全球最先進的 40 納米嵌入式閃存技術 根植于中芯國際的工藝平臺。聯合開發的新工藝將滿足高性能超低功耗產品大批量生產的嚴格要 求，并對國內高性能混合電路產品領域的人才培育起到重要推動作用。
恩智浦全球市場銷售資深副總裁兼中國區總裁鄭力先生表示：“恩智浦深耕中國 30 余年，始終 本著‘科技創新，合作共贏’的理念，積極推動與國內同行企業的交流與合作。在工信部支持下 與中芯國際的合作，是恩智浦踐行對中國長期承諾的重要里程碑。我們希望通過這次合作，與中 國的行業伙伴共同開發先進的安全互聯技術，為中國本地半導體行業的技術創新和研發能力提升 做出貢獻。”
中芯國際執行副總裁李智先生表示：“作為國內規模最大、技術最先進的集成電路晶圓制造企業， 中芯國際始終秉承開放的胸懷與產業鏈上下游密切合作，強強聯手共同推動中國半導體產業的發 展。我們很高興與恩智浦在40納米嵌入式閃存領域展開合作，這將進一步強化中芯國際與國際領 先半導體企業的聯合開發與創新，更好地服務中國市場，推動 ‘中國制造2025’的實現。同時，我 們也期待其未來能有更多的國際頂尖企業 ‘走進來’與國內制造企業合作，共同壯大并完善中國半 導體產業生態系統，實現合作共贏。”
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