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東京大學等開發高電荷遷移率兩極性有機半導體材料

編輯:zengcong 2010-12-22 09:24:10 瀏覽:1745  來源:

  6月9日消息,東京大學及日本科學技術振興機構(JST)等的研究小組開發出了作為非晶質物質的電荷遷移率達到“最高水平”(該研究小組)的兩極性有機半導體材料。

  2007年發表的Benzodifuran衍生物(左),此次開發的兩極性CZBDF的結構

  對中間層摻雜色素后的同質結有機EL元件的電壓-外部量子效率特性(左圖)以及元件發光情形(右下照片)

  該兩極性材料稱為“CZBDF”,系在該研究小組2007年發表的含有氧原子的縮環π電子共軛類化合物“Benzodifuran”為母核的衍生物基礎上開發而成。Benzodifuran衍生物是一種在非晶質薄膜上具有高空穴遷移率的p型半導體材料。此次通過將該Benzodifuran衍生物的“ 胺”部位換成“咔唑”,開發出了高電荷遷移率的兩極性材料CZBDF。另外還使用CZBDF試制了同質結型有機EL元件,并成功實現了同時使用熒光和磷光的EL發光及藍、綠、紅3原色EL發光。

  CZBDF的非晶質薄膜的電荷遷移率,空穴為3.7×10-3cm2/Vs,電子為4.4×10-3cm2/Vs。兩種電荷的遷移率都很高,數值均衡性良好。這些數值是利用飛行時間(TOF:Time Of Flight) 法測量的(電場強度為2.5×105V/cm時)。

  此外,該研究小組還利用此次開發的兩極性材料CZBDF,通過真空蒸鍍法試制了同質結型有機EL元件。具體為,將玻璃底板上的 ITO(氧化銦錫)作為陽極,以真空蒸鍍在該陽極上依次形成了厚150~200nm的有機薄膜及Al金屬(陰極)。

  該有機薄膜以CZBDF為單一的主體材料,在距陽極30nm的范圍內,通過與無機氧化劑V2O5(五氧化二釩)一同蒸鍍而進行P型摻雜。而在距陰極 20nm的范圍內,則通過與還原劑(金屬銫)一同蒸鍍施行n型摻雜。這樣,便可使從電極到CZBDF的電荷變得易于注入和輸送。

  在未摻雜氧化劑及還原劑的中間層(厚50~100nm)分別摻雜藍、綠色熒光色素或紅色磷光色素,實現了3原色發光。綠色熒光元件在亮度為6萬cd/m2時,顯示出了4.2%的高外部量子效率。

  此次試制的有機EL元件之所以能夠實現3原色高效發光,認為是得益于CZBDF具有的以下性質。(1)具有高均衡性且高遷移率的兩極性;(2)CZBDF是寬帶隙半導體材料,HOMO(最高占據軌道)與LUMO(最低未占軌道)之間的能量差非常大(3eV左右);(3)可將電荷高效封入發光色素之中。

  有機EL元件目前以層疊5~6種不同材料的有機薄膜的異質結結構類型為主流。而東京大學等的研究小組此次利用簡單的同質結型有機EL元件實現了3原色發光及高效發光,因此可期待由此開發出低成本且高效率的有機EL顯示器及照明。另外,今后還打算向與有機EL同樣具有多層結構的有機薄膜太陽能電池等領域推廣。

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