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　　近日，上海芯元基半導體科技有限公司（以下簡稱：芯元基半導體）宣布在Micro LED芯片研發上又取得重大進展，全屏點亮了適合微顯示的5μm Micro LED 芯片陣列，成功研發出16*27微米直顯用薄膜倒裝Micro LED芯片，突破了微顯示用Micro LED芯片制備的關鍵技術。

　　? 5μm Micro LED芯片 8μm Pitch陣列全屏點亮實物圖

　　據芯元基半導體介紹，此次Micro LED 芯片陣列尚未鍵合到CMOS基板上，只是將所有陣列的8萬多顆芯片以并聯形式供電，開啟電壓為2.9V，在沒有任何電壓補償的情況下，也就是每個芯片在相同電壓的情況下亮度均勻性已達到人眼觀看無色差感的程度。芯元基Micro LED產品性能的優越性，源自于芯元基多年研發積累的特有襯底技術、外延技術和芯片技術的融合體現。

　　在此之前，芯元基半導體剛于本月初宣布通過其獨立知識產權的DPSS襯底技術、側向外延生長技術和化學剝離藍寶石襯底技術成功開發出了10-50μm的GaN基薄膜倒裝Micro LED芯片。

　　據了解，芯元基的側向外延生長技術可以把GaN外延層中的位錯密度降到10^7cm² (10的7次方每平方厘米)，而且還可以控制位錯的位置，將Micro LED陣列安排到沒有位錯的位置，解決困擾行業的不均性問題。

　　同時，芯元基獨創化學剝離藍寶石襯底技術，與行業現有的激光剝離藍寶石襯底技術相比，該技術能夠實現100%的剝離良率，而且對GaN，特別是InGaN量子阱無損傷，在規?；慨a后具備較明顯的成本優勢。此外，化學剝離藍寶石襯底技術還與現有的半導體晶圓加工技術有非常好的兼容性，可以利用現有的半導體晶圓臨時鍵合技術實現晶圓級巨量轉移。

　　在Micro LED芯片結構上，芯元基半導體利用溝槽結構取代了常規的臺面結構，實現了P電極和N電極的等高，解決了驅動背板上的焊點和芯片電極高度不匹配的問題。據芯元基介紹，其芯片工藝保證了芯片只有一個具有納米粗化結構的出光面，芯片的四周及其底部具有相應的反射結構，解決了顯示光串擾問題的同時，進一步提高顯示亮度。

　　據透露，芯元基半導體的Micro LED芯片可應用于車載顯示、AR/VR等顯示領域，目前，產品已給面板廠家送樣，并拿到了研發用訂單。