12月13日消息光刻機大廠ASML宣布，與韓國三星電子簽署備忘錄，將共同投資1萬億韓元在韓國建立研究中心，并將利用下一代極紫外（EUV）光刻機研究先進半導體制程技術。
值得一提的是，上個月初有消息表示，三星電子在五年內從ASML采購50套設備，每套單價約為2000億韓元，總價值可達10萬億韓元。
三星電子于2022年6月推出了全球首個采用全柵極（GAA）技術的3納米半導體芯片制程技術后，三星一直在努力確保能采購更多EUV光刻機，目標是使該公司能在2024年上半年進入第二代3納米制程技術，2025年進入2納米制程技術，并在2027年進入1.4納米半導體制程技術領域。
正因如此，三星集團董事長李在镕在2022年6月訪問了ASML總部，與ASML執行長Peter Bennink討論了EUV的采購問題，并在同年11月與訪問韓國的Peter Bennink進行了進一步會談。鑒于EUV光刻機從下訂到交貨的時間至少需要一年，當時的會面討論開始在現在開花結果。
另外，先前ASML也曾經表示，計劃在2023年底前發表首臺商用High-NA （NA=0.55） EUV光刻機，并在2025年量產出貨。這使得自2025年開始，客戶就能從數值孔徑為0.33傳統EUV多重圖案化，切換到數值孔徑為0.55 High-NAEUV單一圖案化，降低制程成本，提高產量。目前，預估 High-NA EUV 曝光季將會有五大客戶，包括英特爾、臺積電、三星、美光等。
ASML, High NA EUV量產設備 2025年正式供應
荷蘭ASML將加強極紫外線(EUV)曝光機設備的支配力。明年將供應0.33鏡頭開口數(NA:Numerical Aperture)設備“NXE:3800E”。High NA即0.55 NA設備將于2025年商業化。
12月12日，ASML Korea在由thelec主辦的“Advanced Lithography&Patterning Tech Conforence”上公開了“未來10年EUV路線圖”(EUV roadmap to the decade)。
EUV曝光設備由ASML獨家生產。用于制造3nm以上系統半導體和10nm級DRAM。TSMC、三星電子、英特爾、SK海力士、Micron等是主要客戶。
ASML Korea韓國鄭振恒常務稱：“從2018年量產設備上市到2023年第三季度為止，已經交付213臺0.33NA設備，每臺每天消化3000張左右的晶圓。這意味著需要具備每天能生產3000張以上的設備。”
2024年新產品NXE:3800E每小時可處理多達220張晶圓。機器套刻誤差(MMO:Matched Machine Overlay)為0.9nm。與前款產品相比，生產量提升40%， MMO提高了0.2nm。
鄭常務表示：“為了提高生產效率，不僅提高了晶圓處理速度，還提高了激光照射強度，將測量傳感器增加到了2個”，“盡管如此，與2018年首次開發的設備相比，每片晶圓的能耗量減少了42%”。
0.55 NA設備將于2025年開始供應。0.55 NA設備也稱為High NA設備。目前，所有使用0.33 NA設備的企業都確定導入0.55 NA設備。當NA值上升時，可以刻畫出更細微的電路。
鄭常務稱：“用于研發(R&D)的0.55 NA首臺設備‘EXE:5000’在第四季度供應，量產用的0.55 NA設備‘EXE:5200B’將從2025年開始供應。將采取在荷蘭總部組裝由美國德國等國制造的4個模組并交付的形式。”
EXE:5200B的目標是220張MMO 0.8nm每小時晶圓處理量。
鄭常務補充稱：“為支持High EV工藝轉換和光刻膠(PR)，Mask等生態系統進行的研究也在持續進行。半導體市場雖然目前停滯不前，但2030年將增長到1萬億美元的規模，對此ASML將致力于及時供應設備。”
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