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　　近日有消息稱，ASML將于未來幾個月內推出2nm制程節(jié)點制造設備，并計劃在2024年生產10臺2nm設備，英特爾已采購其中6臺。新一代的高數(shù)值孔徑 (High-NA) EUV光刻機可以將聚光能力從0.33提高至0.55，能夠獲得更精細的曝光圖案，用于2nm制程節(jié)點。未來幾年，ASML希望將這種最新設備的產能提高至每年20臺。

　　此前，英特爾表示已開始在其位于愛爾蘭價值185億美元的工廠采用EUV光刻機進行大量生產。愛爾蘭廠是英特爾首次嘗試使用EUV 技術進行大量制造。英特爾希望憑借其制造技術重新奪回領先地位。

　　自2017年ASML的第一臺量產的EUV光刻機正式推出以來，三星的7nm、5nm、3nm工藝，臺積電的第二代7nm、5nm、3nm工藝的量產都是依賴于0.33 數(shù)值孔徑的EUV光刻機來進行生產。目前，隨著三星、臺積電、英特爾3nm制程的相繼量產，目前這三大先進制程制造廠商都在積極投資2nm制程的研發(fā)，以滿足未來高性能計算等先進芯片需求，并在晶圓代工市場的競爭當中取得優(yōu)勢。而2nm工藝的實現(xiàn)則可能需要依賴于ASMLHigh-NA EUV光刻機。

　　目前ASML正在開發(fā)的0.55 NA的High-NA EUV光刻機，分辨率為 8nm，能夠幫助芯片制造商生產2nm及以下更先進制程的芯片，并且圖形曝光的成本更低、生產效率更高。據(jù)研究機構KeyBanc此前表示，一臺0.55 NA EUV光刻系統(tǒng)的成本預計為3.186億美元，而正在出貨的0.33 NA EUV光刻系統(tǒng)則為1.534億美元。