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　　中國(guó)臺(tái)灣晶圓代工大廠力積電傳出將和日本新創(chuàng)企業(yè)合作、目標(biāo)在2029年量產(chǎn)磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM、Magnetoresistive Random Access Memory)，將利用力積電計(jì)劃在日本興建的晶圓廠第2期工程產(chǎn)線進(jìn)行量產(chǎn)。

　　日經(jīng)新聞2月4日?qǐng)?bào)導(dǎo)，力積電將在2024年上半年和發(fā)源于日本東北大學(xué)、從事半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)的新創(chuàng)企業(yè)「Power Spin」進(jìn)行合作，目標(biāo)量產(chǎn)MRAM。據(jù)報(bào)導(dǎo)，東北大學(xué)長(zhǎng)年來(lái)持續(xù)研究MRAM，而Power Spin將提供MRAM IP給力積電，力積電在推動(dòng)研究、試產(chǎn)后，目標(biāo)在2029年開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)，期待可應(yīng)用于生成式AI用資料中心。

　　報(bào)導(dǎo)指出，力積電攜手日本網(wǎng)絡(luò)金融巨擘SBI Holdings、計(jì)劃在日本宮城縣興建晶圓廠，而該晶圓廠將分為2期工程，第1期工程目標(biāo)2027年投產(chǎn)、第2期工程目標(biāo)2029年投產(chǎn)，而力積電預(yù)計(jì)將利用第2期工程產(chǎn)線、于2029年量產(chǎn)MRAM。

　　據(jù)報(bào)導(dǎo)，理論上來(lái)說(shuō)，MRAM耗電力可壓低至現(xiàn)行存儲(chǔ)器(DRAM、NAND Flash)的1/100，且寫入速度快、即便切斷電源資料也不會(huì)消失，不過(guò)除了制造成本高之外，和現(xiàn)行存儲(chǔ)器相比，耐久性、可靠性等問(wèn)題仍需克服，而力積電計(jì)劃藉由量產(chǎn)、壓低MRAM成本。

　　據(jù)報(bào)導(dǎo)，美國(guó)半導(dǎo)體大廠Everspin Technologies已量產(chǎn)MARM產(chǎn)品，而Power Spin首席技術(shù)長(zhǎng)遠(yuǎn)藤哲郎(東北大學(xué)教授)指出，2022年MRAM市場(chǎng)規(guī)模達(dá)300億日?qǐng)A。

　　力積電、SBI 2023年10月31日宣布，雙方計(jì)劃在日本興建的首座晶圓廠確定將落腳宮城縣、已選定宮城縣黑川區(qū)大衡村的第二北仙臺(tái)中央工業(yè)園區(qū)為預(yù)定廠址。上述晶圓廠將分為2期工程，第1期工程目標(biāo)2027年投產(chǎn)、以12吋硅晶圓換算的月產(chǎn)能為1萬(wàn)片，將生產(chǎn)40nm、55nm芯片，第2期工程預(yù)計(jì)2029年投產(chǎn)，除上述40nm、55nm產(chǎn)品之外，也將生產(chǎn)28nm以及活用WoW(Wafer-on-Wafer)技術(shù)的芯片，屆時(shí)工廠滿載生產(chǎn)時(shí)、月產(chǎn)能將達(dá)4萬(wàn)片。