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　　一、OLED 的顯示

　　二、OLED 相關(guān)關(guān)鍵工藝

　　氧化銦錫(ITO)基板前處理

　　(1)ITO 表面平整度

　　ITO 目前已廣泛應(yīng)用在商業(yè)化的顯示器面板制造，其具有高透射率、低電阻率及高功函數(shù)等優(yōu)點(diǎn)。一般而言，利用射頻濺鍍法(RF sputtering)所制造的ITO，易受工藝控制因素不良而導(dǎo)致表面不平整，進(jìn)而產(chǎn)生表面的尖端物質(zhì)或突起物。另外高溫鍛燒及再結(jié)晶的過程亦會產(chǎn)生表面約10 ~ 30nm 的突起層。這些不平整層的細(xì)粒之間所形成的路徑會提供空穴直接射向陰極的機(jī)會，而這些錯綜復(fù)雜的路徑會使漏電流增加。一般有三個方法可以解決這表面層的影響︰一是增加空穴注入層及空穴傳輸層的厚度以降低漏電流，此方法多用于PLED 及空穴層較厚的OLED(~200nm)。二是將ITO 玻璃再處理，使表面光滑。三是使用其它鍍膜方法使表面平整度更好(如圖二所示)。

　　(2) ITO 功函數(shù)的增加

　　當(dāng)空穴由ITO 注入HIL 時(shí)，過大的位能差會產(chǎn)生蕭基能障，使得空穴不易注入，因此如何降低ITO / HIL 接口的位能差則成為ITO 前處理的重點(diǎn)。一般我們使用O2-Plasma 方式增加ITO 中氧原子的飽和度，以達(dá)到增加功函數(shù)之目的。ITO 經(jīng)O2-Plasma 處理后功函數(shù)可由原先之4.8eV 提升至5.2eV，與HIL 的功函數(shù)已非常接近。

　　加入輔助電極

　　由于OLED 為電流驅(qū)動組件，當(dāng)外部線路過長或過細(xì)時(shí)，于外部電路將會造成嚴(yán)重之電壓梯度(voltage drop)，使真正落于OLED 組件之電壓下降，導(dǎo)致面板發(fā)光強(qiáng)度減少。由于ITO 電阻過大(10 ohm / square)，易造成不必要之外部功率消耗，增加一輔助電極以降低電壓梯度成了增加發(fā)光效率、減少驅(qū)動電壓的快捷方式。鉻(Cr：Chromium)金屬是最常被用作輔助電極的材料，它具有對環(huán)境因子穩(wěn)定性佳及對蝕刻液有較大的選擇性等優(yōu)點(diǎn)。然而它的電阻值在膜層為100nm 時(shí)為2 ohm / square，在某些應(yīng)用時(shí)仍屬過大，因此在相同厚度時(shí)擁有較低電阻值的鋁(Al：Aluminum)金屬(0.2 ohm / square)則成為輔助電極另一較佳選擇。但是，鋁金屬的高活性也使其有信賴性方面之問題；因此，多疊層之輔助金屬則被提出，如：Cr / Al / Cr 或Mo / Al / Mo，然而此類工藝增加復(fù)雜度及成本，故輔助電極材料的選擇成為OLED 工藝中的重點(diǎn)之一。

　　陰極工藝

　　在高解析的OLED 面板中，將細(xì)微的陰極與陰極之間隔離，一般所用的方法為蘑菇構(gòu)型法(Mushroom structure approach)，此工藝類似印刷技術(shù)的負(fù)光阻顯影技術(shù)。在負(fù)光阻顯影過程中，許多工藝上的變異因子會影響陰極的品質(zhì)及良率。例如，體電阻、介電常數(shù)、高分辨率、高Tg、低臨界維度(CD)的損失以及與ITO 或其它有機(jī)層適當(dāng)?shù)酿ぶ涌诘取?/p>

　　三、OLED 的驅(qū)動技朮

　　四、具體點(diǎn)模塊SSD1332、65K、OLED5

　　五、用AT90S8515測試板（新測試板外部可以擴(kuò)展8Mbit）

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