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美國nVerpix劉博:垂直溝道晶體管是革命性的AMOLED顯示技�

編輯:zhangyf 2016-07-11 10:52:57 瀏覽�2163  來源:未�

 


美國nVerpix公司首席技術官劉博

  盡管當前OLED已向智能手機、電視、智能手表等應用領域滲透,但是總體來看,仍然面臨一些技術挑�(zhàn)和產�(yè)化問題,特別是大屏化應用一直困擾OLED產業(yè)�(fā)展。近年來,美國nVerpix公司一直致力于解決OLED大規(guī)模量產的問題,取得了很好的發(fā)展成績。在2016中國國際OLED產業(yè)大會上,美國nVerpix公司首席技術官劉博以《垂直溝道有機發(fā)光晶體管--革命性的AMOLED顯示技術》為主題,分享了以納米碳管為關鍵材料的器件的最新解決方案�

  劉博認為,盡管OLED相對LCD有非常多的優(yōu)勢,包括色域、對比度、視角、響應速度、能耗、超輕超薄,還可以實�(xiàn)可彎曲、不易破碎,另外還有OLED基本結構比LCD簡單的優(yōu)勢,但是OLED仍然存在諸多技術挑�(zhàn),影響OLED的生產成本和良率�

  “像素是顯示最基本組成部分,而一個OLED像素中至少需要四個基本元素,分別是OLED、驅動晶體管、開關晶體管、存儲電容。驅動晶體管是非常關鍵的原件,最大的挑戰(zhàn)就是背板問題。目前在LCD中廣泛使用的非晶硅TFT技術無法驅動OLED,同時具有低遷移率、偏壓不�(wěn)定性的特點;而AMOLED驅動晶體管必須為OLED提供持續(xù)�(wěn)定的電流。盡管低溫多晶硅技術的電子遷移率高,但是存在均勻性差、造價昂貴的問題。新型金屬氧化物半導體技術非常有前景,但是仍然有不穩(wěn)定性、工藝參�(shù)敏感性高,產品良率低的問題。現(xiàn)階段解決方案是增加晶體管�(shù)量進行像素補償,但這樣結構就更加復雜,造成產品良率低下�” 劉博表示�

  劉博介紹�“當其他企�(yè)試圖找到更好的半導體材料,我們公司卻從另外一個角度攻克這個難題,解決方案是將溝道層改為水平方向。電流從下面網狀出發(fā)流到漏極,實�(xiàn)亞微米級的溝道長度。由于這種方案的溝道長度非常短,所以仍然可以實�(xiàn)非常大的電流承載力。方案放寬了對溝道層半導體材料流體遷移率的要求,盡管有遷移率低的缺點,但是均勻比較好、非常穩(wěn)定的�(yōu)點材料,使得我們可以實�(xiàn)大電流承載力,同時具有很好的均勻性和�(wěn)定性�”

  “我們利用碳納米管做成網狀結構,通過導電流,讓量子隧穿和載流子熱激�(fā)�(fā)射兩種機制同時作用,可以使得我們器件有非常有效的柵極控制效果�” 劉博介紹�

  劉博表示�“垂直溝道晶體管可以取代傳�(tǒng)OLED。由于垂直溝道晶體管和傳�(tǒng)OLED在結構上有些類似,都是層狀堆疊結構,電流都是沿著垂直方向傳播,兩者結合起來,形成一個集成發(fā)光控制器件。垂直溝道有機發(fā)光晶體管自身是一個可以發(fā)光結構,可以通過控制柵極電壓,無需水平放置的驅動晶體管,節(jié)省了像素空間,增大像素開口率,同時實�(xiàn)均勻�(fā)光。垂直發(fā)光晶體管各個功能層都是透明,柵極可以用透明導電材料ITO來制作。碳納米管透光率為98%,可以實�(xiàn)底發(fā)光OLED�”

  他認為:“垂直溝道�(fā)光晶體管整合三個元素為一個單獨器件,整個像素中除了垂直�(fā)光晶體管之外,只需要一個開關晶體管,開口率可以達到大于/等于75%,像素中OLED實際亮度可以更低,OLED壽命也可以提高,而且這也是非常簡單的電路設計,可望提高產品良率。現(xiàn)階段只需�4-7個TFT對均勻性、穩(wěn)定性進行補償。均勻性和�(wěn)定性是其他晶體管薄弱環(huán)節(jié),解決這兩點是解決AMOLED的關鍵�”

  �(jù)介紹,nVerpix公司還獲得了最佳樣機的獎項,主要由韓國慶熙大學制作開關晶體管背板,nVerpix公司制作�(fā)光晶體管結構�

  劉博最后表示,垂直溝道有機�(fā)光晶體管是一個突破現(xiàn)階段技術問題的AMOLED顯示技術,具有低成本、良率高的特點,可以為市場提供非常具有市場競爭力的OLED顯示產品。同時,該技術還可以兼容�(xiàn)有LCD背板產線設施,提高OLED顯示產品壽命,減少幕簾效應�

  目前,nVerpix公司擁有11項專利,而且正積極申請綜合專利對自身技術進行全面專利保護。劉博也相信,該技術在下一代柔性產品應用中也有非常廣泛的前景,主要基于碳納米管是柔性材料,非常方便制作成柔性顯示設備,也適用于下一代卷對卷生產工藝�

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