日本大阪大學研究生院理學研究系化學專�(yè)副教授竹谷純一的研究小組采用涂布法制成了載流子遷移率高�5cm2/Vs的有機薄膜晶體管（TFT）。該大學在“nano tech 2010（國際納米科技綜合展）”（2�17日～19日）的日本新能源�(chǎn)�(yè)技術綜合開�(fā)機構（NEDO）展區(qū)內，展示了這一成果�
大阪大學�(fā)�(xiàn)在硅底板上設置具有長方形截面的結構物時，滴落的有機液體會以結構物的截面為基點（生長核），朝著遠離截面的方向均勻固化的�(xiàn)象。大阪大學表示，利用這一�(xiàn)象，“能夠實�(xiàn)使用以往的生長核位置隨機確定的涂布法難以實現(xiàn)的高品質有機單晶體”�
大阪采用這種方法，制成了柵極長為100μm的有機TFT。這種TFT具有p型傳導特性，載流子遷移率�5cm2/Vs，開關比�105。只采用涂布法形成了通道，電極等則采用普通的氣相法形成。通道材料中使用了將BTBT（Benzothieno Benzothiophene）溶入庚烷（Heptane）的有機液體�
硅底板上的結構物采用了硅切片，不過還可采用像曝光抗蝕劑一樣與TFT制造工序具有較高親和性的材料。大阪大學表示，今后將面向顯示器驅動等用途推進TFT的陣列化，同時“驗證可在柔性底板上實現(xiàn)何種性能”（同大學）�
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