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　　硅基GaN技術盡管具有成為優(yōu)勢，但是它的大批量生產前景還不明朗，不過它已經開始進入生產。那么它的專利格局是怎樣的呢?

　　大部分主要的LED企業(yè)都積極地申請硅基GaN技術相關專利，少數(shù)將其作為核心策略和技術路線。Yole預測，相對于LED產業(yè)，該技術將在功率電子和RF應用中大放異彩，因為其成本低而且與CMOS的兼容性好。

　　硅基GaN襯底面臨一些技術挑戰(zhàn)。GaN和硅之間的巨大晶格失配導致了外延層的缺陷密度太高。而且兩者之間的巨大熱膨脹系數(shù)會導致它在從生長溫度冷卻至室溫時產生大的拉伸應力，這會引起薄膜的破裂和晶圓的下凹彎曲。

　　Yole的報告挑選了解決上述挑戰(zhàn)的專利，并深入分析了專利持有人及其專利技術，但不涉及有源層或GaN器件的專利。

　　眼下，這些專利技術表面關鍵材料問題已經取得了顯著的進步，比如減少位錯密度和應力管理以防止晶圓出現(xiàn)破碎和翹曲。Yole Développement認為硅基GaN IP已足夠先進使其開始大批量生產。

　　超過50家公司和科研機構涉足硅基GaN IP，而大部分主要的GaN廠商在專利申請方面名列前茅。豐田合成、東芝、松下、三菱、Nitronex、Soitec和Azzurro均勻很強的IP組合。但三星、Dowa、LG、夏普和NGK Insulators正在成為硅基GaN IP格局的主要力量。Soitec和Sumitomo 在GaN層轉移到硅襯底方面處于領先地位。

　　目前，僅有少數(shù)廠商在銷售外延片或模板，能夠商用硅基GaN器件的廠商鳳毛麟角。不同于少數(shù)被注意到的IP整合(Nitronex 與International Rectifier、東芝與普瑞光電、Soitec與Sumitomo以及Macom (Nitronex)與IQE)，硅基GaN IP還沒有被企業(yè)廣泛用于抬升授權談判和供應合作。截至目前，專利訴訟也少之又少。但現(xiàn)有的IP覆蓋了這些技術挑戰(zhàn)的方方面面，最近五年主要的GaN廠商申請了大量關鍵專利(東芝、三星、LG、夏普、NGK、Sumitomo、Soitec、Azzurro以及Dowa)。而且，隨著它在RF和功率器件領域的發(fā)展，硅基GaN行業(yè)開始成形，因此未來三年IP戰(zhàn)將全面打響。