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中國IGBT芯片生產線打破國外壟斷

編輯:admin 2014-06-24 11:03:39 瀏覽:637  來源:中華液晶網

  6月20日,中國首條8英寸IGBT專業芯片線在中國南車株洲電力機車研究所有限公司建成,中國首片8英寸IGBT芯片同時下線。此舉打破了國外在高端IGBT芯片技術上的壟斷,對保障國民經濟安全和推動兩型建設具有重大戰略意義。

  IGBT即“絕緣柵雙極型晶體管”,主要應用于船舶、高壓電網、軌道交通等大功率電力驅動設備中。與微電子技術中芯片技術(通常所說的CPU)一樣,IGBT芯片技術是電力電子行業中的“心臟”和“大腦”,控制并提供大功率的電力設備電能變換,可有效提升設備的能源利用效率、自動化和智能化水平。

  IGBT芯片技術含量極高,制造難度非常大,被業內譽為“皇冠上的明珠”,其研發、制造、應用是衡量一個國家科技創新和高端制造業水平的重要標志。過去,全球IGBT技術主要掌握在歐洲和日本等少數幾個國家手中。中國的IGBT芯片及其相關產品99%以上依賴進口,國內在芯片、封裝、裝置、系統應用上還沒有形成獨立、完整的技術體系和產業體系。

  為了實現“IGBT”國產化之夢,中國南車累計投入超過30億元,上百位專家攻克了30多項重大難題,終于掌握了該器件的成套技術,建立了完整的IGBT規模化、專業化生產工業體系,成功研制出從650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模塊,形成了IGBT的完整產業鏈。2011年5月,南車株洲所在田心高科園開工建設IGBT產業化基地,建設世界第二條8英寸IGBT專業芯片線。這條投資近15億元的生產線,首期將實現年產12萬片8英寸IGBT芯片,配套生產100萬只IGBT模塊,真正實現IGBT的國產化。

  中國工程院院士、南車株洲所總經理丁榮軍說,據初步估算,如果將IGBT等電力電子技術應用到全國20%的電機中,每年可節約用電2000億千瓦時,相當于2個三峽電站的年發電量。同時,高功率等級IGBT的自主研制成功,對于國家經濟安全、國防安全具有至關重要的意義。

  當天生產的首片8英寸IGBT芯片,移交中國科學技術館收藏。

  市領導賀安杰、毛騰飛、何劍波,中國南車集團總裁劉化龍,以及工信部等國家相關部委、省直部門負責人到場祝賀。市委書記賀安杰希望南車株洲所以此為契機,再接再厲,為株洲乃至世界軌道交通發展,為推進株洲新型工業化進程作出更大貢獻。

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