本文將針對TFT LCD的整體系統面，也就是對其驅動原理來做介紹，而其驅動原理仍然因為一些架構上差異的關系而有所不同。首先將介紹由于Cs (storage capacitor) 儲存電容架構不同，所形成不同驅動系統架構的原理�
Cs (storage capacitor) 儲存電容的架�
一般最常見的儲存電容架構有兩種，分別是Cs on gate與Cs on common這兩種。顧名思義，兩者的主要差別在于儲存電容是利用gate走線或是common走線來完成。在上一期文章中曾提到，儲存電容主要是為了讓充好電的電壓能保持到下一次更新畫面的時候之用，所以必須像在CMOS的制程之中，利用不同層的走線來形成平行板電容。而在TFT LCD的制程中，則是利用顯示電極與gate走線或common走線所形成的平行板電容，來制作出儲存電容Cs�
�1就是這兩種儲存電容架構，圖中可以很明顯地知道，Cs on gate由于不必像Cs on common需要增加一條額外的common走線，所以其開口�(Aperture ratio)比較大。而開口率的大小是影響面板的亮度與設計的重要因素，所以現今面板的設計大多使用Cs on gate的方式。但是由于Cs on gate方式的儲存電容是由下一條的gate走線與顯示電極之間形成的(請見�2中Cs on gate與Cs on common的等效電�)�
而gate走線就是接到每一個TFT的gate端的走線，主要是作為gate driver送出信號來打開TFT，好讓TFT對顯示電極作充放電的動作。所以當下一條gate走線送出電壓要打開下一個TFT時，便會影響到儲存電容上儲存電壓的大小。不過由于下一條gate走線打開到關閉的時間很短(�1024 x 768分辨率，60Hz更新頻率的面板來說。一條gate走線打開的時間約�20μs，而顯示畫面更新的時間約為16ms，所以相較下影響有限)，所以當下一條gate走線關閉，回復到原先的電壓，則Cs儲存電容的電壓，也會隨之恢復到正常。這也是為什么大多數的儲存電容設計都是采用Cs on gate的方式的原因�
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