�高亮度LED的應(yīng)用面不斷�(kuò)大,首先�(jìn)入特種照明的市場(chǎng)�(lǐng)域,并向普通照明市�(chǎng)邁�(jìn)。由�LED芯片輸入功率的不斷提高,�(duì)這些功率�LED的封裝技�(shù)提出了更高的要求�
功率�LED封裝技�(shù)主要�(yīng)滿足以下兩點(diǎn)要求�1、封裝結(jié)�(gòu)要有高的�光效率,2、熱阻要盡可能低,這樣才能保證功率LED�光電性能和可靠性�
半導(dǎo)�LED若要作為照明光源,常�(guī)�(chǎn)品的光通量與白熾燈和熒光燈等通用性光源相比,距離甚遠(yuǎn)。因此,LED要在照明�(lǐng)域發(fā)展,�(guān)鍵是要將其發(fā)光效率、光通量提高至現(xiàn)有照明光源的等級(jí)。功率型LED所用的外延材料采用MOCVD的外延生�(zhǎng)技�(shù)和多量子阱結(jié)�(gòu),雖然其�(nèi)量子效率還需�(jìn)一步提高,但獲得高�(fā)光通量的最大障礙仍是芯片的取光效率低。現(xiàn)有的功率型LED的設(shè)�(jì)采用了倒裝焊新�(jié)�(gòu)�(lái)提高芯片的取光效率,改善芯片的熱特性,并通過(guò)增大芯片面積,加大工作電流來(lái)提高器件的光電轉(zhuǎn)換效率,從而獲得較高的�(fā)光通量。除了芯片外,器件的封裝技�(shù)也舉足輕重。關(guān)鍵的封裝技�(shù)工藝有:
散熱技�(shù)
傳統(tǒng)的指示燈型LED封裝�(jié)�(gòu),一般是用導(dǎo)電或非導(dǎo)電膠將芯片裝在小尺寸的反射杯中或載片�(tái)上,由金絲完成器件的�(nèi)外連接后用�(huán)氧樹(shù)脂封裝而成,其熱阻高達(dá)250�/W~300�/W,新的功率型芯片若采用傳�(tǒng)式的LED封裝形式,將�(huì)�?yàn)樯岵涣级鴮?dǎo)致芯片結(jié)溫迅速上升和�(huán)氧碳化變黃,從而造成器件的加速光衰直至失效,甚至�?yàn)檠杆俚臒崤蛎浰a(chǎn)生的�(yīng)力造成�(kāi)路而失效�
因此,對(duì)于大工作電流的功率型LED芯片,低熱阻、散熱良好及低應(yīng)力的新的封裝�(jié)�(gòu)是功率型LED器件的技�(shù)�(guān)鍵。可采用低阻率、高�(dǎo)熱性能的材料粘�(jié)芯片;在芯片下部加銅或鋁�(zhì)熱沉,并采用半包封結(jié)�(gòu),加速散熱;甚至�(shè)�(jì)二次散熱裝置,來(lái)降低器件的熱阻。在器件的內(nèi)部,填充透明度高的柔性硅橡膠,在硅橡膠承受的溫度范圍�(nèi)(一般為-40℃~200℃),膠體不�(huì)因溫度驟然變化而導(dǎo)致器件開(kāi)路,也不�(huì)出現(xiàn)變黃�(xiàn)象。零件材料也�(yīng)充分考慮其導(dǎo)熱、散熱特性,以獲得良好的整體熱特性�
二次光學(xué)�(shè)�(jì)技�(shù)
為提高器件的取光效率,設(shè)�(jì)外加的反射杯與多重光�(xué)透鏡�
功率型LED白光技�(shù)
常見(jiàn)的實(shí)�(xiàn)白光的工藝方法有如下三種�
�1)藍(lán)色芯片上涂上YAG熒光粉,芯片的藍(lán)色光激�(fā)熒光粉發(fā)�540nm~560nm的黃綠光,黃綠光與藍(lán)色光合成白光。該方法制備相對(duì)�(jiǎn)單,效率高,具有�(shí)用性。缺�(diǎn)是布膠量一致性較差、熒光粉易沉淀�(dǎo)致出光面均勻性差、色�(diào)一致性不好;色溫偏高;顯色性不夠理想�
�2)RGB三基色多�(gè)芯片或多�(gè)器件�(fā)光混色成白光,或者用�(lán)+黃綠色雙芯片�(bǔ)色產(chǎn)生白光。只要散熱得法,該方法產(chǎn)生的白光較前一種方法穩(wěn)定,��(qū)�(dòng)較復(fù)雜,另外還要考慮不同顏色芯片的不同光衰速度�
�3)在紫外光芯片上涂RGB熒光粉,利用紫光激�(fā)熒光粉產(chǎn)生三基色光混色形成白光。由于目前的紫外光芯片和RGB熒光粉效率較低,仍未�(dá)到實(shí)用階段�
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