在普通玻璃的一個表面鍍上一層氧化銦錫的導電膜，就形成了LCD常用的氧化銦錫玻璃，通常簡稱為ITO玻璃�
基本結構
基板�
常用的基板厚度有1.1mm;0.7mm;0.5mm;0.5mm,0.4mm
根據材料的不同，通常分為鈉鈣玻璃和硼硅玻璃兩種�
鈉鈣型玻�
優點：成本低
缺點：含有鈉、鉀等離子，易產生滲透，影響產品性能
硼硅型玻�
優點：玻璃硬度高，透過率好
缺點：成本較�
鈉鈣型玻璃基本成分：
SiO2層：
SiO2層的作用�
主要是防止鈉鈣型基板中的金屬離子擴散滲透到ITO層中，影響ITO層的導電能力�
SiO2層的膜厚�
標準膜厚一般為20-30nm�
ITO（indium Tin Oxid）層�
為氧化銦錫的透明導電層，其中I表示In2O3，T表示SnO2，一般Sn（即Tin）的含量約為10%。隨著ITO層厚度的增加，ITO層的厚度逐漸減小�
分類
根據基板玻璃表面狀態的不同，通常分為以下三種類型�
TN：未拋光型，直接在玻璃的浮法面進行鍍膜�
HTN：簡單拋光型/TN精選玻璃，將玻璃的浮法面進行簡單的拋光后，在拋光面進行鍍膜�
STN：超拋光型，將玻璃的浮法面進行精細的拋光后，在拋光面進行鍍膜�
生產工藝
ITO玻璃的生產工藝流程主要分為以下三個步驟：
1、切割倒角�
2、拋光；
3、鍍�
注：TN型玻璃不需要拋光，生產工藝流程更簡單�
切割磨邊的工藝流程：
磨邊類型及規格要求：
通常分為C型和R型兩�
倒角的形狀及公差：
拋光工藝流程�
用研磨料將玻璃表面磨平，使玻璃表面平整。對于STN型ITO玻璃是必須經過的一道生產流程�
鍍膜工藝流程�
鍍膜方法�
鍍膜的方法有：噴霧法；涂覆法；浸漬法；化學氣相沉積法；真空蒸發法；測射法，但目前工業化最有效的方法是磁控測射法�
磁控測射法：
在高真空反應室中充入一定比例的02和Ar的混合氣體，在直流高壓下，Ar被電離，在電場作用下轟擊靶材，使銦和錫以原子和離子形式濺射出來，沉積在基板玻璃表面，同時被氧化，形成氧化銦錫膜�
評價參數
透過�
在波長為550nm的光波照射下，具有SI02阻擋層玻璃的透過率不小于80%，其主要取決于玻璃材料、ITO厚度和折射率�
透過率定義：
透過玻璃的光透量T2與入射光透量T1之比的百分率
Tt=T2/T1X100%
方塊電阻�
d為膜厚，I為電流，L1為膜厚在電流方向上的長度，L2為膜層在垂直電流方向的長度，ρ為導電膜的體電阻率�ρ和d可以認為是不變的定值，當L1=L2時，為正方形的膜層，無論方塊大小如何，其電阻率為定�ρ/d，這就是方塊電阻的定義，即R=ρ/d
平整�
平整度可用h/1表示，意思為在長度為L的范圍內，表面最高點與最低點的差值為h�
ITO玻璃基板平整度參數包括：
1、玻璃表面粗糙度�
2、基板表面波紋度�
3、基板翹曲度�
4、基板垂直度‘
5、ITO膜表面粗糙度�
6、ITO玻璃基板、膜厚均勻度�
基板翹曲�
用h/L表示（如圖），即翹曲的高度與翹起邊的長度之比�
其中要求如下�
1、厚�≥0.7mm的基片玻璃，翹曲度（h/L�≤0.1%
2、厚�≤0.55mm的基片玻璃，翹曲度（h/L�≤0.15%
3、不允許有S形翹�
基板垂直度：用a/L表示（如圖）。用來描述玻璃基板四條邊互相垂直的程度�
化學穩定�
ITO鍍膜層的耐化學性能應符合表2中技術要求�
a、耐堿�
鍍層在溫度為60±2℃，濃度�10%的氫氧化鈉（分析純）溶液中浸�5分鐘，ITO膜的方電阻與浸泡前的方電阻相比不得超�110%�
b、耐酸�
�25±2℃，6%鹽酸（分析純）溶液中浸泡2分鐘，ITO膜的方電阻與浸泡前的方電阻相比不得超�110%�
c、耐溶劑性能
將鍍膜玻璃放入丙酮（分析純）、無水乙醇（分析純）中浸�5分鐘后，ITO膜的方電阻與浸泡前的方電阻相比不得超�10%�
熱穩定�
在空氣中經過30分鐘300±5℃（觸摸屏用ITO玻璃是在200±5℃）高溫后，ITO膜的方阻的變化率小于300%
附著�
�3M交代粘在玻璃表面迅速撕開，ITO層無明顯開裂現象�
ITO膜面的判�
浮法方向�
在基板玻璃制造過程中，液態玻璃流動的方向�
主要判定方法
(1)將萬用表打至歐姆檔，用探針分別測試兩個點，如果顯示不“1”，則所測試面為ITO膜面�
(2)用方塊電阻測試儀測試面電阻，如果顯示電阻無窮大，則所測面為非ITO膜面�
(3)通過大角設別：以16X14英寸的玻璃為例�
常見問題
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