利用光線透過光罩照射在感光材料上，再以溶劑浸泡將感光材料受光照射到的部份加以溶解或保留，如此所形成的光阻圖案會和光罩完全相同或呈互補。由于微影制程的環境是采用黃光照明而非一般攝影暗房的紅光，所以這一部份的制程常被簡稱為“黃光”。微影制程很好地實現了黃光工藝觸摸屏視覺上的精準度�
此種電容屏有助于手機在超窄邊框上面布線，使手機工藝如鐘表般精細，更薄，身材更漂亮，更有利于超窄邊款手機的散熱，更是貼合技術的絕配�
黃光制程百問百答
1、PHOTO 流程?
答：上光�→曝光→顯影→顯影后檢�→CD量測→Overlay量測
2、何為光阻？其功能為何？其分為哪兩種�
答：Photoresist（光阻）.是一種感光的物質，其作用是將Pattern從光罩（Reticle）上傳遞到Wafer上的一種介質。其分為正光阻和負光阻�
3、何為正光阻?
答：正光阻，是光阻的一種，這種光阻的特性是將其曝光之后，感光部分的性質會改變，并在之后的顯影過程中被曝光的部分被去除�
4、何為負光阻?
答：負光阻也是光阻的一種類型，將其曝光之后，感光部分的性質被改變，但是這種光阻的特性與正光阻的特性剛好相反，其感光部分在將來的顯影過程中會被留下，而沒有被感光的部分則被顯影過程去除�
5、什幺是曝光？什幺是顯影�
答：曝光就是通過光照射光阻，使其感光；顯影就是將曝光完成后的圖形處理，以將圖形清晰的顯現出來的過程�
6、何� Photo?
答：Photo=Photolithgraphy,光刻，將圖形從光罩上成象到光阻上的過程�
7、Photo主要流程為何?
答：Photo的流程分為前處理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，顯影，Hard Bake等�
8、何謂PHOTO區之前處理?
答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先對Wafer表面進行一系列的處理工作，以使光阻能在后面的涂布過程中能夠被更可靠的涂布。前處理主要包括Bake，HDMS等過程。其中通過Bake將Wafer表面吸收的水分去除，然后進行HDMS工作，以使Wafer表面更容易與光阻結合�
9、何謂上光阻?
答：上光阻是為了在Wafer表面得到厚度均勻的光阻薄膜。光阻通過噴嘴（Nozzle）被噴涂在高速旋轉的Wafer表面，并在離心力的作用下被均勻的涂布在Wafer的表靀�
10、何謂Soft Bake?
答：上完光阻之后，要進行Soft Bake，其主要目的是通過Soft Bake將光阻中的溶劑蒸發，并控制光阻的敏感度和將來的線寬，同時也將光阻中的殘余內應力釋放�
11、何謂曝�?
答：曝光是將涂布在Wafer表面的光阻感光的過程，同時將光罩上的圖形傳遞到Wafer上的過程�
12、何謂PEB（Post Exposure Bake�?
答：PEB是在曝光結束后對光阻進行控制精密的Bake的過程。其目的在于使被曝光的光阻進行充分的化學反應，以使被曝光的圖形均勻化�
13、何謂顯�?
答：顯影類似于洗照片，是將曝光完成的Wafer進行成象的過程，通過這個過程，成象在光阻上的圖形被顯現出來�
14、何謂Hard Bake?
答：Hard Bake是通過烘烤使顯影完成后殘留在Wafer上的顯影液蒸發，并且固化顯影完成之后的光阻的圖形的過程�
15、何為BARC?何為TARC?它們分別的作用是什幺？
答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating. BARC是被涂布在光阻下面的一層減少光的反射的物質，TARC則是被涂布在光阻上表面的一層減少光的反射的物質。他們的作用分別是減少曝光過程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收�
16、何� Iline�
答：曝光過程中用到的光，由Mercury Lamp（汞燈）產生，其波長�365nm，其波長較長，因此曝光完成后圖形的分辨率較差，可應用在次重要的層次�
17、何� DUV�
答：曝光過程中用到的光，其波長為248nm，其波長較短，因此曝光完成后的圖形分辨率較好，用于較為重要的制程中�
18、I-line與DUV主要不同處為�?
答：光源不同，波長不同，因此應用的場合也不同。I-Line主要用在較落后的制程�0.35微米以上）或者較先進制程（0.35微米以下）的Non-Critical layer。DUV則用在先進制程的Critical layer上�#p#分頁標題#e#
19、何為Exposure Field?
答：曝光區域，一次曝光所能覆蓋的區�
20、何� Stepper? 其功能為�?
答：一種曝光機，其曝光動作為Step by step形式,一次曝整個exposure field,一個一個曝過去
21、何� Scanner? 其功能為�?
答：一種曝光機，其曝光動作為Scanning and step形式, 在一個exposure field曝光�, 先Scan完整個field, Scan完后再移到下一個field.
22、何為象差？
答：代表透鏡成象的能�,越小越好.
23、Scanner比Stepper優點為何�
答：Exposure Field大，象差較小
24、曝光最重要的兩個參數是什幺？
答：Energy（曝光量�, Focus（焦距）。如果能量和焦距調整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的圖形，主要表現在圖形的CD值超出要求的范圍。因此要求在生產時要時刻維持最佳的能量和焦距，這兩個參數對于不同的產品會有不同�
25、何為Reticle?
答：Reticle也稱為Mask，翻譯做光掩模板或者光罩，曝光過程中的原始圖形的載體，通過曝光過程，這些圖形的信息將被傳遞到芯片上�
26、何為Pellicle?
答：Pellicle是Reticle上為了防止灰塵（dust）或者微塵粒子（Particle）落在光罩的圖形面上的一層保護膜�
27、何為OPC光罩�
答：OPC （Optical Proximity Correction）為了增加曝光圖案的真實性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩�
28、何為PSM光罩�
答：PSM （Phase Shift Mask）不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象，目前大都應用在contact layer以及較小CD的Critical layer（如AA，POLY，METAL1）以增加圖形的分辨率�
29、何為CR Mask�
答：傳統的鉻膜光�,只是利用光訊0�1干涉成像,主要應用在較不Critical 的layer
30、光罩編號各位代碼都代表什幺？
答：例如003700-156AA-1DA, 0037代表產品號，00代表Special code,156代表layer,A代表客戶版本，后一個A代表SMIC版本�1代表FAB1，D代表DUV（如果是J,則代表I-line�,A代表ASML機臺（如果是C，則代表Canon機臺�
31、光罩室同時不能超過多少人在其中�
答：2人，為了避免產生更多的Particle和靜電而損壞光罩�
32、存取光罩的基本原則是什幺？
答：�1� 光罩盒打開的情況下，不準進出Mask Room,最多只準保�2個人�2� 戴上手套�3� 輕拿輕放
33、如何避免靜電破壞Mask�
答：光罩夾子上連一導線到金屬桌面，可以將產生的靜電導出�
34、光罩POD和FOUP能放在一起嗎？它們之間至少應該保持多遠距離？
答：不能放在一起，之間至少要有30公分的距離，防止搬動FOUP時碰撞光罩Pod而損壞光罩�
35、何� Track?
答：Photo制程中一系列步驟的組合，其包括：Wafer的前、后處理，Coating（上光阻），和Develop（顯影）等過程�
36、In-line Track機臺有幾個Coater槽，幾個Developer槽？
答：均為4�
37、機臺上亮紅燈的處理流程�
答：機臺上紅燈亮起的時候表明機臺處于異常狀態，此時已經不能RUN貨，因此應該及時Call E.E進行處理。若EE現在無法立即解決，則將機臺掛DOWN�
38、何� WEE? 其功能為�?
答：Wafer Edge Exposure。由于Wafer邊緣的光阻通常會涂布的不均勻，因此一般不能得到較好的圖形，而且有時還會因此造成光阻peeling而影響其它部分的圖形，因� 將Wafer Edge的光阻曝光，進而在顯影的時候將其去除，這樣便可以消除影響�
39、何為PEB？其功能為何�
答：Post Exposure Bake，其功能在于可以得到質量較好的圖彀（消除standing waves�
40、PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻還是負光�
答：目前正負光阻都有，SMIC FAB內用的為負光阻�
41、RUN貨結束后如何判斷是否有wafer被reject�
答：查看RUN之前lot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉，如果有少，則進一步查看機臺是否有Reject記錄�
42、何� Overlay? 其功能為�?
答：迭對測量儀。由于集成電路是由很多層電路重迭組成的，因此必須保證每一層與前面或者后面的層的對準精度，如果對準精度超出要求范圍內，則可能造成整個電路不能完成設計的工作。因此在每一層的制作的過程中，要對其與前層的對準精度進行測量，如果測量值超出要求，則必須采取相應措施調整process condition.
43、何� ADI CD?
答：Critical Dimension，光罩圖案中最小的線寬。曝光過后，它的圖形也被復制在Wafer上，通常如果這些最小的線寬能夠成功的成象，同時曝光的其它的圖形也能夠成功的成象。因此通常測量CD的值來確定process的條件是否合適�
44、何� CD-SEM? 其功能為�?
答：掃描電子顯微鏡。是一種測量用的儀器，通常可以用于測量CD以及觀察圖案�
45、PRS的制程目的為何？
答：PRS （Process Release Standard）通過選擇不同的條件（能量和焦距）對Wafer曝光，以選擇最佳的process condition�
46、何為ADI？ADI需檢查的項目有哪些�
答：After Develop Inspection，曝光和顯影完成之后，通過ADI機臺對所產生的圖形的定性檢查，看其是否正常，其檢查項目包括：Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect
47、何為OOC, OOS，OCAP�
答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan
48、當需要追貨的時候，是否需要將ETCH沒有下機臺的貨追回來�
答：需要。因為通常是process出現了異常，而且影響到了一些貨，因此為了減少損失，必須把還沒有ETCH的貨追回來，否則ETCH之后就無法挽回損失�
49、PHOTO ADI、PHOTO OVERLAY檢查的SITE是每片幾個點？PHOTO ADI檢查的片數一般是哪幾片？
答：PHOTO ADI檢查的SITE�5點，Wafer中間一點，周圍四點。PHOTO OVERLAY檢查的SITE是每�20點。PHOTO ADI檢查的片數一般是#1�#6�#15�#24; 統計隨機的考慮�
50、半導體中一般金屬導線材質為�?
答：鵭線（W�/鋁線（Al�/銅線（Cu�
51、何謂RTMS，其主要功能是什幺？
答：RTMS （Reticle Management System� 光罩管理系統用于trace光罩的History,Status,Location,and Information以便于光罩管�
52、PHOTO區的主機臺進行PM的周期？#p#分頁標題#e#
答：一周一�
53、PHOTO區的控片主要有幾種類型�
答：
�1� Particle :作為Particle monitor用的芯片,使用前測前需小于10�
�2� Chuck Particle :作為Scanner測試Chuck平坦度的專用芯片,其平坦度要求非常�
�3� Focus :作為Scanner Daily monitor best 的wafer
�4� CD :做為photo區daily monitor CD穩定度的wafer
�5� PR thickness :做為光阻厚度測量的wafer
�6� PDM :做為photo defect monitor的wafer
54、當TRACK剛顯示光阻用完時，其實機臺中還有光阻嗎？
答：有少量光�
55、何謂電� Plasma?
答：電漿是物質的第四狀�.帶有�,負電荷及中性粒子之總和;其中包含電子,正離�,負離�,中性分�,活性基及發散光子等,產生電漿的方法可使用高溫或高電壓.
56、Asher機臺進行蝕刻最關鍵之參數為�?
答：溫度
57、光刻部的主要機臺是什�? 它們的作用是什�?
答：光刻部的主要機臺�: TRACK（涂膠顯影機�, Sanner（掃描曝光機�
58、為什幺說光刻技術最象日常生活中的照相技�
答：Track 把光刻膠涂附到芯片上就等同于底片,而曝光機就是一臺最高級的照相機. 光罩上的電路圖形就是"人物". 通過對準,對焦,打開快門, 讓一定量的光照過光罩, 其圖像呈現在芯片的光刻膠�, 曝光后的芯片被送回Track 的顯影槽, 被顯影液浸泡, 曝光的光刻膠被洗�, 圖形就顯現出來了.
59、何謂反射功�?
答：蝕刻過程�,所施予之功率并不會完全地被反應腔內接收端所接受,會有部份值反射掉,此反射之�,稱為反射功率
60、常聽說�.18 或點13 技術是指什�?
答：它是指某個產�,它的最�"CD" 的大小為0.18um or 0.13um. 越小集成度可以越�, 每個芯片上可做的芯片數量越�, 難度也越�.它是代表工藝水平的重要參�.
61、從�18工藝到點13 工藝到點�9. 難度在哪�?
答：難度在光刻部, 因為圖形越來越小, 曝光機分辨率有限.
62、曝光機的NA 是什�?
答：NA是曝光機的透鏡的數值孔�;是光罩對透鏡張開的角度的正玹�. 最大是1; 先進的曝光機的NA �0.5 ---0.85之間.
63、曝光機分辨率是由哪些參數決定的?
答：分辨�=k1*Lamda/NA. Lamda是用于曝光的光波�;NA是曝光機的透鏡的數值孔�; k1是標志工藝水準的參數�
64、如何提高曝光機的分辨率�?
答：減短曝光的光波長, 選擇新的光源; 把透鏡做大,提高NA.
65、為什幺光刻區采用黃光照明�
答：因為白光中包�365nm成份會使光阻曝光,所以采用黃�; 就象洗像的暗房采用暗紅光照明.
66、何謂濕式蝕刻和干式蝕刻
答：濕式蝕刻：利用液相的酸液或溶�;將不要的薄膜去除。干式蝕刻：利用plasma將不要的薄膜去除�
67、如何做Overlay 測量�?
答：芯片（Wafer）被送進Overlay 機臺�. 先確定Wafer的位置從而找到Overlay MARK. 這個MARK 是一個方� IN 方塊的結�.大方塊是前層, 小方塊是當層;通過小方塊是否在大方塊中心來確定Overlay的好�.
68、生產線上最貴的機器是什�
答：曝光�;
69、曝光機貴在哪里?
答：曝光機貴在它的光學成像系�
70、在WAFER �, 什幺叫一個Field?
答：光罩上圖形成象在WAFER�, 最大只�26X33mm一塊（這一塊就叫一個Field�,激光工作臺把WAFER 移動一個Field的位置，再曝一次光，再移動再曝光� 直到覆蓋整片WAFER� 所以，一片WAFER 上有�100左右Field.
71、什幺叫一個Die?
答：一個Die也叫一個Chip;它是一個功能完整的芯片� 一個Field可包含多個Die;
72、為什幺曝光機的綽號是“印鈔�”
答：曝光� 很貴；一天的折舊有好幾萬人民幣之�;所以必須充份利用它的產能�
73、Track和Scanner內主要使用什幺手段傳遞Wafer
答：機器人手臂（robot�, Scanner 的ROBOT 有真空（VACCUM）來吸住WAFER. TRACK的ROBOT 設計獨特, 用邊緣HOLD WAFER.
74、可否用肉眼直接觀察測量Scanner曝光光源輸出的光�
答：絕對禁止;強光對眼睛會有傷�
75、為什幺黃光區內只有Scanner應用Foundation（底座）
答：Scanner曝光對穩定性有極高要求（減震）
76、近代光刻技術分哪幾個階�?
答：�80’S 至今可分4階段:它是由曝光光源波長劃分的;高壓水銀燈的G-line�438nm�, I-line�365nm�; excimer laser KrF�248nm�, ArF laser�193nm�
77、如何做CD 測量�?
答：芯片（Wafer）被送進CD SEM �. 電子束掃過光阻圖形（Pattern�.有光阻的地方和無光阻的地方產生的二次電子數量不同; 處理此信號可的圖�.對圖像進行測量得CD.
78、什幺是DOF
答：DOF 也叫Depth Of Focus, 與照相中所說的景深相似. 光罩上圖形會在透鏡的另一側的某個平面成�, 我們稱之為像平面（Image Plan�, 只有將像平面與光阻平面重合（In Focus）才能印出清晰圖�. 當離開一段距離后, 圖像模糊. 這一可清晰成像的距離叫DOF
79、曝光顯影后產生的光阻圖形（Pattern）的作用是什幺？
答：曝光顯影后產生的光阻圖形有兩個作用：一是作刻蝕的模板，未蓋有光阻的地方與刻蝕氣體反應，被吃掉．去除光阻后，就會有電路圖形留在芯片上．另一作用是充當例子注入的模板�
80、光阻種類有多少�
答：光阻種類有很多．可根據它所適用的曝光波長分為I-line光阻,KrF光阻和ArF光阻�
81、Scanner在曝光中可以達到精確度宏觀理解�
答：Scanner 是一個集機，光，電為一體的高精密機器；為控制iverlay<40nm,在曝光過程中，光罩和Wafer的運動要保持很高的同步性．�250nm/秒的掃描曝光時，兩者同步位�<10nm．相當于兩架時�1000公里／小時的波音747飛機前后飛行，相距小�10微米
82、光罩的結構如何�
答：光罩是一塊石英玻璃，它的一面鍍有一層鉻膜（不透光）．在制造光罩時，用電子束或激光在鉻膜上寫上電路圖形（把部分鉻膜刻掉，透光）．在距鉻膜5mm 的地方覆蓋一極薄的透明膜（叫pellicle），保護鉻膜不受外界污染.
83、在超凈室（cleanroom）為什幺不能攜帶普通紙
答：普通紙張是由大量短纖維壓制而成，磨擦或撕割都會產生大量微小塵埃（particle）．進cleanroom 要帶專用的Cleanroom Paper.
84、光阻層的厚度大約為多少�#p#分頁標題#e#
答：光阻層的厚度與光阻種類有關．I-line光阻最厚�
85、哪些因素影響光阻厚度？
答：光阻厚度與芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋轉速度有關，越快越薄，與光阻粘稠度有關�
86、哪些因素影響光阻厚度的均勻度？
答：光阻厚度均勻度與芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋轉加速度有關，越快越均勻，與旋轉加減速的時間點有關．
87、金屬蝕刻后為何不可使用一般硫酸槽進行清洗?
答：因為金屬線會溶于硫酸�
88、根據工藝需求排氣分幾個系�?
答：分為一般排氣（General）、酸性排氣（Scrubbers）、堿性排氣（Ammonia）和有機排氣（Solvent� 四個系統�
89、高� 地板分有孔和無孔作用?
答：使循環空氣能流� ，不起塵，保證潔凈房內的潔凈�; 防靜電；便于HOOK-UP�
90、離子發射系統作�
答：離子發射系統，防止靜�
91、什幺是制程工藝真空系統（PV�
答：是提供廠區無塵室生產及測試機臺在制造過程中所需的工藝真�;如真空吸筆、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。該系統提供一定的真空壓力（真空度大于 80 kpa）和流量，每�24小時運行
92、House Vacuum System 作用
答：HV（House Vacuum）系統提供潔凈室制程區及回風區清潔吸取微塵粒子之真空源，其真空度較低。使用方法為利用軟管連接事先已安裝在高架地板下或柱子內的真空吸孔，打開運轉電源。此系統之運用可減低清潔時的污染�
93、Filter Fan Unit System（FFU）作用和Clean Room 潔凈室系�
答：FFU系統保證潔凈室內一定的風速和潔凈度，由Fan和Filter（ULPA）組成。潔凈室系統供應給制程及機臺設備所需之潔凈度、溫度、濕度、正壓、氣流條件等環境要求�
94、工程師在正常跑貨用純水做rinse或做機臺維護時，要注意不能有酸或有機溶劑（如IPA等）進入純水回收系統中，這是因為�
答：酸會導致conductivity（導電率）升高，有機溶劑會導致TOC升高。兩者均會影響并降低純水回收率�
95、若在Fab 內發現地面有水滴或殘留水等，應如何處理或通報？若機臺內的drain管有接錯或排放成分分類有誤，將會導致后端的主系統出現什幺問�?
答：先檢查是否為機臺漏水或做PM所致，若為廠務系統則通知廠務中控室。機臺內的drain管有接錯或排放成分分類有誤將會導致后端處理的主系統相關指標處理不合格，從而可能導致公司排放口超標排放的事故�
96、當機臺用到何種氣體時，須安裝氣體偵測器?
答：PH3
97、蝕刻對象依薄膜種類可分�:
答：poly,oxide, metal
98、何謂蝕刻（Etch�?
答：將形成在晶圓表面上的薄膜全部，或特定處所去除至必要厚度的制程�
蝕刻種類:�1� 干蝕刻（2� 濕蝕�
99、AEI目檢Wafer須檢查哪些項�:
答：�1� 正面顏色是否異常及刮� �2� 有無缺角及Particle �3）刻號是否正�
100、名詞解釋：
熱交換器（HEAT EXCHANGER）：將熱能經由介媒傳�,以達到溫度控制之目地
AEI：After Etching Inspection 蝕刻后的檢查
金屬蝕刻機臺asher：去光阻及防止腐�
UV curing：利用UV光對光阻進行預處理以加強光阻的強�
Over-etching（過蝕刻 ）：蝕刻過多造成底層被破�
Etch rate（蝕刻速率）：單位時間內可去除的蝕刻材料厚度或深度
Seasoning（陳化處理）：是在蝕刻室的清凈或更換零件后，為要穩定制程條件，使用仿真（dummy� 晶圓進行數次的蝕刻循環�
Spin Dryer：利用離心力將晶圓表面的水份去除
Maragoni Dryer：利用表面張力將晶圓表面的水份去�
IPA Vapor Dryer：利用IPA（異丙醇）和水共溶原理將晶圓表面的水份去�
Asher的主要用�:：光阻去�
Wet bench dryer 功用：將晶圓表面的水份去�
SEM：掃描電子顯微鏡（Scan Electronic Microscope）光刻部常用的也稱道CD SEM. 用它來測量CD
BACKSIDE HELIUM COOLING：藉由氦氣之良好之熱傳導特�,能將芯片上之溫度均勻�
ORIENTER ：搜尋notch�,使芯片進反應腔的位置都固定,可追蹤問�
EPD：偵測蝕刻終�;End point detector利用波長偵測蝕刻終點
MFC：mass flow controler氣體流量控制�;用于控制 反應氣體的流�
GDP：氣體分配盤（gas distribution plate�
isotropic etch：等向性蝕�;側壁側向蝕刻的機率均�
anisotropic etch：非等向性蝕�;側壁側向蝕刻的機率少
etch ：不同材質之蝕刻率比�
AEI CD：蝕刻后特定圖形尺寸之大�,特征尺寸（Critical Dimension�
CD bias：蝕刻CD減蝕刻前黃光CD
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