1、G工程
成膜工程——G層Sputter (AL-Nb, Mo-Nd)
PR曝光工程——G-Mask PR曝光
刻蝕工程——G層濕�
剝離
2、D/I工程
成膜工程——PCVD （SiNx�
成膜工程——PCVD �3層CVD�
成膜工程——D� Sputter (Cr)
PR曝光工程——D-Mask PR曝光
刻蝕工程——D層濕�
Island干刻
D層濕�
Channel干刻
剝離工程——剝離
3、C工程
成膜工程——PECVD (SiNx)
PR曝光工程——C-Mask PR曝光
刻蝕工程——Contact Hole干刻
剝離
4、PI工程
成膜工程——Sputter （ITO�
PR曝光工程——PI-Mask PR曝光
刻蝕工程——ITO濕刻
剝離
5、ARRAY工藝介紹
洗凈：清潔基板表面，防止成膜不良
濺射（SPUTTER)：成Gate膜、D/S膜和Pixel�
PECVD：成a-Si膜和SiNx�
PR/曝光：形成與MASK圖案相一致的光刻膠圖�
濕刻（WE)：刻蝕掉未被光刻膠掩蔽的金屬�
干刻（DE)：刻蝕掉未被光刻膠掩蔽的非金屬膜
剝離：去掉殘余的光刻�
退火：修復(fù)晶體損傷，改善晶體性質(zhì)
檢查修復(fù)：監(jiān)控產(chǎn)品不良，修復(fù)不良
5.1 洗凈
5.2 洗凈方法及原理概�
#p#分頁�(biāo)�#e#
5.3 Sputter
濺射( Sputter )是指利用電場加速的氣體離子�(duì)靶材的轟擊，使成膜材料從靶材�(zhuǎn)移到基板的物理成膜方法�
Sputter在工藝流程中的位置：
TFT中Sputter薄膜的種類和作用�
G配線：Al，傳遞掃描信�(hào)
D配線：Cr，傳遞數(shù)�(jù)信號(hào)
像素電極：ITO，存�(chǔ)�(shù)�(jù)信號(hào)
5.4 Sputter�(shè)�
5.5 PECVD
G-絕緣膜：SiNx，絕�
a-Si：非晶硅，導(dǎo)電溝�
n+a-Si：N摻雜非晶硅，歐姆接觸
PA-SiNx：SiNx，保�(hù)
5.6 PR/曝光
由洗凈、涂覆、曝光、顯影四大部分組成�
洗凈� Excimer UV →RB＋AAJet→直水Spray→A/k
涂覆� 除水干燥→ Slit涂覆→ Spin 涂覆→減壓干燥→端面清洗→前烘
曝光
顯影：顯�1→顯影2→循環(huán)純水Spray→直水Spray→A/K →后烘
↓↓
5.7 顯影
5.8 濕刻
濕刻的目�
濕刻是通過�(duì)象材料（一般為金屬�(dǎo)電膜）與刻蝕液之間的化學(xué)反應(yīng)，對(duì)�(duì)象材料�(jìn)行刻蝕的過程�
在TFT-LCD工藝中，主要是對(duì)Gate層（Mo/Al）、Drain層（Cr）及像素層（ITO）�(jìn)行刻蝕�
濕刻�(shè)備概�
濕刻裝置的構(gòu)�
Etching槽：�(duì)基板�(jìn)行刻蝕處�
水洗槽：通過純水將刻蝕液沖洗
干燥槽：用A/K干燥基板
5.9 干刻
干刻原理�
反應(yīng)氣體在高頻電場作用下�(fā)生等離子體（Plasma）放電�
等離子體與基板發(fā)生作用將沒有被光刻膠掩蔽的薄膜刻蝕掉�
干刻裝置�
大氣Robot——從Cassette和L/L之間的搬�
L/L (Load Lock)——大氣壓和真空兩種狀�(tài)之間的切�
T/C (Transfer Chamber)——L/L和P/C之間的搬送。防止不純物�(jìn)入P/C，P/C�(nèi)的特氣外�
P/C (Process Chamber)——真空中�(jìn)行Plasma的物理、化�(xué)反應(yīng)，�(jìn)行刻�
5.10 剝離
剝離簡介：刻蝕（干刻、濕刻）完成后除去光刻膠的過程�
剝離裝置示意圖：
剝離槽：利用剝離液溶解并剝離光刻�
IPA槽：利用IPA置換剝離液。（防止Al腐蝕�
水洗槽：用純水洗凈處理液
干燥槽：利用A/K干燥基板
5.11 熱退�
�(jīng)過適�(dāng)�(shí)間的熱處理，修復(fù)晶體損傷，改善晶體性質(zhì)�
6 4Mask工藝PR后像素照�
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